لیست اختراعات حميد رضاقلي پورديزجي


ثبت :
از
تا
اظهارنامه :
از
تا

بازنشانی
تعداد موارد یافت شده: 6
تاریخ اظهارنامه: 1394/03/06
تاریخ ثبت: 1394/03/06
خلاصه اختراع:

در اين طرح، سيستم رشد جهتمندي براي رشد بلور KDP در جهت مولد هارمونيك دوم آن، طراحي شده است. براي اين منظور با درنظر گرفتن زاويه‌ي توليد اين هارمونيك در بلور KDP، اين سيستم طوري طراحي شده است كه در حين رشد، شرايط براي رشد بلور KDP در جهت مورد نظر فراهم و از رشد آن در ساير جهات ممانعت به عمل آيد. به اين ترتيب بلور رشد يافته قادر خواهد بود هرگاه نوري با بسامد خاص به آن بتابد، علاوه بر نور ورودي، نوري با نصف طول موج نور ورودي (هارمونيك دوم) را توليد و از خود خارج نمايد.

تاریخ ثبت: 1394/03/20
خلاصه اختراع:

در اين پژوهش نانوذرات اكسيد روي آلاييده با مس با درصدهاي مختلف (06/0 و 04/0 ، 02/0 ، 0 X =) به روش مايكروويو تهيه شد. ساختمان، مورفولوژي، خواص اپتيكي و اندازه ذرات پودر نهايي توسط طيف سنجي فروسرخ تبديل فوريه(FTIR)، پراش اشعه ايكس(XRD)، ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM)و طيف سنج مرئي- فرابنفش (UV-Visible) بررسي گرديد. محاسبات صورت گرفته نشان داد اندازه ذرات از 412/23 نانومتر به 968/20 نانومتر كاهش يافته اند و گاف انرژي نيز از 53/3 الكترون ولت به 33/3 الكترون ولت كاهش يافته است.

تاریخ اظهارنامه: 1394/09/21
تاریخ ثبت: 1396/04/10
خلاصه اختراع:

زمينه فني:بلور شناسي KH2PO4 كه آن را KDP (پتاسيم دي هيدروژن فسفات) مي نامند، يك بلور شفاف شبه آلي است و داراي محور تقارن چهارگانه و ساختار تتراگونال مي باشد. مشكلات فني: بلور KDP به دليل ويژگي هاي پيزو الكتريكي و اپتيك غير خطي خوب بسيار مورد توجه مي باشد. بلورهاي KDP به علت ويژگي هايي مانند شفافيت در يك ناحيه وسيعي از طيف هاي نوري، استحكام و مقاومت در برابر آسيب پرتو ليزري توان بالا، بازده غير خطي نسبتاً بالا، قابليت رشد به اندازه هاي بزرگ و پرداخت آسان جزء معدود بلورهايي هستند كه به عنوان مولد هارمونيك دوم در كاربردهاي ليزري سوئيچ هاي اپتوالكتريك استفاده مي شوند و از جمله رايج ترين بلورها در زمينه مطالعه اپتيك غير خطي و صنعت الكترواپتيك است. به دليل مشكلات و سختي هاي موجود در رشد بلور، روش تك جهتي كه مزايايي مانند ساده و ارزان بودن تجهيزات و تبديل100% ماده¬ي حل شده به بلور، جلوگيري از رشد ميكروبي را دارد، انتخاب شد و نيز استفاده از دو افزودني KCl و EDTAكه باعث شفافيت و استحكام بلور مي شود. Unidirectional Growth of KDP crystal added with KCl and EDTA additives by SR method and investigation on its physical properties رشد بلور پتاسيم دي هيدروژن فسفات همراه با افزودني كلريد پتاسيم و اتيلن دي آمين تترا استيك به روش تك جهتي و بررسي خواص فيزيكي آن

تاریخ اظهارنامه: 1396/04/23
تاریخ ثبت: 1396/11/17
خلاصه اختراع:

بلور هاي ZTS همراه با افزودني NaI در سه غلظت مختلف 1 ٬ 3 و 5 درصد مولي از محلول هاي آبي توسط روش تبخير آهسته رشد داده ايم. براي اين كار ابتدا ماده ZTS را سنتز كرده و با استفاده از اين ماده و افزودني NaI در سه غلظت متفاوت بلور ها حاصل شدند. در فرايند رشد بلور دما كاملا ثابت نگه داشته شد. بلور ZTS ماده اپتيك غير خطي نيمه آلي مي باشد كه با توجه به ويژگي هاي اين نوع ماده در توليد هارمونيك دوم و دانش ليزري، بسيار حائز اهميت مي باشد. بلور ZTS همراه با افزودني NaI با در معرض قرار گرفتن طيف سنجي هاي مختلف آشكار ساخت كه خواص غير خطيت حفظ و تقويت شدند. بنابراين اين ماده مي تواند در كاربرد هاي فراوان اپتيكي و فتونيك مورد استفاده قرار گيرد. بلور رشد يافته در معرض طيف سنجي هاي مختلف XRD ٬ FTIR ٬ Uv-Vis ٬ Hv و TGA-DTA قرار گرفت. نتايج نشان مي دهد بلور ZTS همراه با افزودني NaI پايداري حرارتي و اپتيكي خوبي را داراست.

تاریخ اظهارنامه: 1389/05/09
مالک/مالکان: دانشگاه سمنان
تاریخ ثبت: 1389/06/08
خلاصه اختراع:

‏خلاصه ي اختراع: ‏سيستم كنترل كننده بخار مواد در دستگاه لايه نشاني از يك پوسته استوانه اي مدور تشكيل شده است كه سرعت زاويه اي آن از طريق فيدتروالكتريكي از بيرون محفظه قابل كنترل مي باشد. با طراحي شكاف صفحه دايروي مسطح مي توان بخار مواد را در زمان لايه نشاني كنترل كرد. خواص مسدودكنندگي و هدايت و باز وبست اين شكاف مي تواند خواص فيزيكي بسيار جالبي را براي اين سيستم به همراه داشته باشد. افزايش دانسيته ذرات لايه تشكيل شده،بهبود خاصيت بلوري، تغيير در ريخت شناسي فيلم، تغيير در اندازه دانه ها ، تغيير در سمت گيري ،تغيير در خواص اپتيكي لايه ها خصوصا افزايش ضريب جذب در لايه هاي جاذب نور، تكرار پذيري ساخت لايه ها،كاهش آلودگي ناشي از لايه نشاني در خلاء از جمله اين قابليت ها است.

تاریخ اظهارنامه: 1388/03/27
مالک/مالکان: دانشگاه سمنان
تاریخ ثبت: 1388/04/24
خلاصه اختراع:

دستگاه تغذیه مواد در دستگاه لایه نشانی به روش تبخیر آنی

موارد یافت شده: 6